技术解说

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压力传感器
技术解说

美蓓亚的压力传感器

  • 美蓓亚生产并销售以下压力传感器。
  • 压力传感器
    (内置放大器)
    压力传感器
    (另置放大器)

    半导体应变片式(SOS传感器)
    箔应变片式
    半导体应变片式(SOS传感器)
    箔应变片式
    NS100ANS115P
    PRN01PRN02
    NS10TNS30T
    PRBPRCSTD
  • ※可使用2个压力传感器测量差压。

放大器内置SOS式压力传感器/(半导体应变片式)

什么是蓝宝石上硅(Silicon on Sapphire : SOS) 技术

蓝宝石(Al2O3单晶)衬底上生长硅薄膜(外延生长)的技术。对于使用了该薄膜的硅半导体应变片,电阻丝本身和蓝宝石衬底之间的接合为原子级别,构成物理和电气特性极其稳定的理想的传感器。

  • 高精度
  • 蓝宝石作为隔膜材料属于氧化铝单晶,响应性高,直线性和磁滞特性极其优异。
  • 高可靠性
  • 硅半导体和蓝宝石衬底之间的接合为原子级别,因此具有极其稳定的特性和高可靠性。负压侧的负载特性与正压侧可保持相同水平,因此可测量高精度的复合压。

  • 高耐热性
  • 普通的硅衬底通过PN结合进行电气隔离,120℃以上的高温时,结合部分的漏电流增大,无法用作传感器。
    SOS技术中的蓝宝石衬底本身即为高绝缘体,即使在350℃的高温环境下也可用作传感器。(NS403/NS413系列)
    ※PN结合: p型半导体与n型半导体的结合
  • 氢气适应性
  • 蓝宝石的氢气适应性优异,解决了透射和脆化问题。
  • SOS传感器采用直压式
  • 灵敏度部分直接接液,最大限度发挥SOS传感器优异响应性的直压式。(放大器内置型的响应性为1kHz)。未设置耐腐蚀的隔膜,酸、碱、卤素等压力介质时可能无法使用。

放大器内置压力传感器(箔应变片式)

配备ASIC(Application Specific I.C.)放大器,受温度影响较小,抗干扰性优异的高功能型压力传感器。采用消耗电流较低的应变片和结构、材质的机械性能优异的隔膜,精度和稳定性高。

  • 高精度、高可靠性
  • 17-4PH(SUS630)的弹性体(隔膜)使用新开发的低消耗电流、自动温度补偿型应变片,精度和可靠性高。
  • 温度特性大幅提高
  • 温度补偿范围内(-20℃~70℃)时具有±1.0%F.S.以内的温度特性(与温度变化无关),包括温度特性在内的综合精度大幅提高。
  • 高稳定性
  • 压力灵敏度部分(隔膜)为压力导入口和切削部分一体化的结构,保持优异的抗疲劳性。
    公司内部进行评估时,经150%F.S.压力下的循环试验(100万次),试验前后的变化量为±0.3%F.S.以内。
  • 电气特性
  • 电路具有几乎不受外部干扰成分等影响的特性。

SOS式压力传感器(半导体应变片式)

通过SOS技术实现的高精度、高可靠性、高耐热性等与以上压力传感器相同。 与另置的放大器(CSA-522)连接时,响应性为25kHz。

压力传感器(箔应变片式)

提供普通用、高压用、高响应用、高/低温用的各种压力传感器。

  • 温度特性优异的应变片式
  • 受压部分已使用自动温度补偿的应变片。测量过程中温度发生变化时几乎不受影响,可准确检测压力。
  • 备有低压用和高压用的各种类型
  • 备有低压用(最小1MPa)和高压用(最大500MPa)的各种类型,最适合用途的传感器可供选择。
  • 始终跟随动压现象
  • 根据金属隔膜的固有频率,始终跟随动压现象。(响应性大致为固有频率的1/3。)